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如何處理樣品以避免在掃描電鏡下發(fā)生充電偽影?

日期:2025-03-17

在掃描電鏡(SEM)成像過程中,非導電樣品容易產(chǎn)生充電效應(yīng),導致圖像模糊、亮度不均、漂移或偽影。為了避免這些問題,可以采取以下措施:

1. 物理方法:提高樣品導電性

(1) 噴涂導電涂層

對非導電樣品(如生物樣品、陶瓷、高分子材料)進行導電涂層處理,以提供電子通路:

常見涂層材料:金(Au)、鉑(Pt)、碳(C)、銀(Ag)、鉻(Cr)。 

涂層厚度:建議 5–20 nm,避免影響微觀結(jié)構(gòu)細節(jié)。 

方法: 熱蒸發(fā)(Thermal Evaporation):適用于均勻薄層。 

濺射鍍膜(Sputter Coating):更均勻,可控性更好。 

碳蒸發(fā)(Carbon Evaporation):適用于 EDS(能譜分析),避免 X 射線干擾。 

選擇:

SE(二次電子)成像:Au、Pt 涂層。 

BSE(背散射電子)成像:C 涂層(避免高原子序數(shù)影響對比)。 

EDS 分析:C、Cr 涂層(避免元素干擾)。 

(2) 在樣品表面噴涂導電膠

用 銀漿(Silver Paint)、碳膠(Carbon Paste) 連接樣品與樣品臺,提高導電性。 

適用于局部導電處理,如陶瓷或復合材料樣品。 

(3) 選擇合適的載物臺

采用導電載物臺(如鋁臺、銅臺),增強電荷釋放通道。 

使用導電膠帶(Carbon Tape)將樣品粘附,提高電荷泄放能力。 

2. SEM 操作參數(shù)優(yōu)化

(1) 降低加速電壓

高電壓(>15 kV)易導致電子深層穿透,增加充電效應(yīng)。 

低電壓(1–5 kV)可以減少電子滯留,降低充電偽影。 

策略:

高分辨率成像:低電壓(1–3 kV),減少樣品充電。 

背散射成像:適當提高電壓(5–10 kV),提升信號質(zhì)量。 

(2) 采用環(huán)境掃描電鏡(ESEM)

ESEM(Environmental SEM) 適用于潮濕、生物、非導電樣品,通過低氣壓水蒸氣中和充電。 

典型工作氣壓:100–1000 Pa。 

(3) 選擇合適的探測器

低電壓+二次電子探測器(SE) → 適合高分辨率成像。 

低電壓+背散射電子探測器(BSE) → 適合成分對比,提高充電樣品可視化效果。 

ESEM 模式+氣體二次電子探測器(GSED) → 適合非導電材料。 

3. 樣品安裝與制備

(1) 增加導電路徑

用導電膠帶或銀膠連接樣品與樣品臺,確保電荷泄放。 

盡量減少樣品懸空區(qū)域,避免孤立電荷積累。 

(2) 機械研磨或離子拋光

對表面不平整的樣品進行機械研磨,減少局部電荷堆積。 

使用**離子拋光(Ion Milling)去除絕緣表層,提高導電性。 

4. 數(shù)據(jù)處理(后期補償)

圖像后處理:軟件補償亮度、對比度,減少充電偽影。 

多幀平均(Frame Integration):提高信噪比,減少充電帶來的條紋。

以上就是澤攸科技小編分享的如何處理樣品以避免在掃描電鏡下發(fā)生充電偽影的介紹。更多掃描電鏡產(chǎn)品及價格請咨詢


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作者:澤攸科技